淺談無線通訊功率放大器矽鍺技術之應用

淺談無線通訊功率放大器矽鍺技術之應用(摘自易立達高科技網)

   現今，矽鍺（silicon germanium；SiGe） 技術已經從一種富有潛力的技術，發展成為目前和新一代行動設備的先進解決方案，廣泛應用於手機、無線區域網（WLAN）和藍芽等產品。自上世紀 80 年代問世以來，SiGe 一直是那些追求低成本，並要求性能高於普通矽元件的高頻應用開發人員最感興趣的一種半導體材料。在無線通訊應用中，這種技術已被廣泛接受，用於下變頻器、低雜訊放大器（low-noise amplifier；LNA）、前置放大器（preamplifier）和 WLAN 功率放大器（power amplifier；PA）。
   
現在，SiGe 技術已經應用於高功率放大器產品，如CDMA和GSM手機。由於這種半導體可以整合更多電路，它將在未來功率放大器與無線射頻（RF）電路的整合方面發揮重要作用。
   
SiGe技術的優勢
   
降低手機設計成本的兩大主要因素是提高整合度，以及使用如SiGe等易於整合的低成本技術。
   
SiGe 技術具備種種極具吸引力的優點。作為矽材料中的小兄弟，SiGe既擁有矽製程的整合度、良率和成本優勢，又具備III、V族半導體，如砷化鎵（GaAs）和璘化銦（InP）在速度方面的優點。只要增加金屬和介質疊層來降低寄生電容和電感，就可以採用SiGe半導體技術整合高品質被動元件。此外，透過控制鍺摻雜還可設計元件隨溫度的行為變化。SiGe BiCMOS 製程技術幾乎與矽半導體超大型積體電路（VLSI）產業中的所有新技術相容，包括 SOI 技術和溝道隔離技術 [1]。

關鍵字 : SiGe,SiGe Semiconductor,無線通訊收發器