SiGe PNP HBT基極摻雜工程技術

SiGe PNP HBT基極摻雜工程技術(摘自易立達高科技網)

   SiGe:C npn電晶體異質接面雙極性晶體管（HBT）是 BiCMOS IC 中針對高速類比和混合訊號應用的核心技術，它具有以下特性︰基極中少數固有電子高度的機動性、SiGe:C能使偏移所提供的附加性能增強，以及利用硼輕鬆取得清晰的p型外形。
   
另一方面，高速互補（npn與pnp電晶體）技術（CBiCMOS）要求pnp與npn HBT具有相似的性能。先對SiGe pnp基極外形中所做的平衡措施進行識別[1]，以免造成少數載波的傳輸性能下降。但由於常見摻雜質（如磷和砷）在較大程度上分離的狀況，n型SiGe基極摻雜工程技術目前仍是一項挑戰。
   
針對此挑戰，因此提出了使用標準和原子層摻雜（ALD）技術的摻雜工程技術概論，並顯示了與硼對等的摻雜外形可透過使用ALD的砷和磷來取得。
   
實驗
   
SiGe︰C 磊晶
   
減壓化學氣相沉積技術（RPCVD）使用於SOI圖案基版上沉積SiGe:C薄膜。SiH4、GeH4和甲基矽甲烷氣體分別用於矽、鍺和碳。AsH3和PH3是雜性氣體，通常，氫氣和氮氣中的沉積壓力均為 40Torr。

關鍵字 : BiCMOS