選擇正確的MOSFET

選擇正確的MOSFET(摘自易立達高科技網)

MOSFET是電氣系統一些最基本的元件，但隨著製造技術的發展和進步，系統設計人員必需跟上技術的發展步伐，才能為其設計挑選最合適的產品。本文將討論如何根據RDS（ON）、熱性能、雪崩擊穿電壓及開關性能指標來選擇正確的MOSFET。
在產品開發環節，許多設計工程師都是設計系統主要功能的專家。然而，由於缺乏資源和時間，他們中許多還得在板卡上開發外設子系統。這類子系統可能包括功率結構和拓墣。許多工程師可能缺少構建功率結構方面的經驗，因而需要協助。所以，對他們來說瞭解如何為其設計選擇正確的MOSFET就非常重要。
MOSFET選擇
MOSFET有兩大類型：N通道和P通道。在功率系統中，MOSFET可被看成電氣開關。當在N通道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時，其開關導通。導通時，電流可經開關從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個內阻，稱為導通電阻RDS（ON）。必須清楚MOSFET的柵極是個高阻抗端，因此，總是要在柵極加上一個電壓。如果柵極為懸空，元件將不能按設計意圖工作，並可能在不恰當的時刻導通或關閉，導致系統產生潛在的功率損耗。當源極和柵極間的電壓為零時，開關關閉，而電流停止通過元件。雖然這時元件已經關閉，但仍然有微小電流存在，這稱之為漏電流，即IDSS。

關鍵字 : Fairchild,快捷半導體