非揮發靜態隨機存取記憶體優勢介紹

非揮發靜態隨機存取記憶體優勢介紹(摘自易立達高科技網)

   記憶體是任何電子系統/應用的整合元件。記憶體可大致分成揮發性記憶體（關閉電源後資料就會流失），以及非揮發性記憶體（關閉電源後資料仍能保存）。常見的揮發性記憶體包括SRAM（靜態隨機存取記憶體）、DRAM（動態隨機存取記憶體）等。常見的揮發性記憶體包括EEPROM、快閃記憶體等。
結合SRAM功能與非揮發性儲存能力的記憶體，能在系統中發揮許多優點。現今許多應用需要快速且非揮發特性的記憶體元件。許多記憶體技術都提供這樣的解決方案。其中包括NVSRAM、BBSRAM、FRAM、以及MRAM。
本文簡單介紹NVSRAM的特性與工作原理，並比較NVSRAM與其他提供類似解決方案的記憶體。協助研發業者研判何種記憶體技術適合其設計專案。在詳細探討NVSRAM的技術與應用之前，本文將先快速比較目前競爭市場主流地位的技術。
主流記憶體技術介紹
NVSRAM提供非揮發性的儲存能力，在電源關閉時將SRAM的內容移動至SRAM內部相對應的非揮發性儲存單元。BBSRAM（電池備份SRAM）則是在電源關閉時，切換至鋰電池來保存SRAM中的資料。FRAM（鐵電隨機存取記憶體）讓鐵電晶體中的電場維持相同的方向，藉以保存資料。MRAM（磁阻RAM）使用磁性極化技術來永久保存資料。表一是這些技術的重要參數比較。

關鍵字 : NVSRAM,Cypress