2008年7月31日 星期四
ST推出250A功率MOSFET結合先進封裝和製程
以降低如電動汽車等電動設備的營運成本和減少對環境的影響為目標，電源應用廠商意法半導體(ST)推出一款250A表面貼裝的功率MOSFET，新產品STV250N55F3低導通電阻，可將功率轉換的損耗降至最低，並且能夠提升系統的性能。
新產品STV250N55F3是市場上首款結合ST的PowerSO-10封裝和ribbon bonding技術的功率MOSFET，擁有極低的無裸晶( die-free)封裝電阻率。 新產品採用ST的高密度STripFET III製程，典型導通電阻僅為1.5毫歐。 STripFET III的其它優點包括︰開關損耗低及抗崩潰的能力。 除了提升散熱效率外，九線的源極連接配置還有助於降低電阻。在25℃時，封裝的額定功率為300W。
關鍵字 : MOSET,電阻,ST,意法半導體,電阻器
