以BiCMOS製程技術提昇放大器效能

以BiCMOS製程技術提昇放大器效能(摘自易立達高科技網)

   NS以絕緣矽（SOI）BiCMOS 類比製程技術提高新一代高精密度、低功率及低電壓運算放大器的效能，這種名為VIP50的製程技術是專門針對供電電壓介於0.9～12V之間的運算放大器所設計，其優點可運用於可攜式電子產品、醫療設備、工業系統以及汽車電子系統上。而使用該製程所設計的產品，無論在電源效率、雜訊及準確度之表現都優於NS舊款IC產品與其他競爭產品。
   NS放大器產品線之技術行銷經理Carlos Sanchez表示，BiCMOS為結合雙極與CMOS兩種結構的半導體元件，將電路中需要高速與高電流驅動的部份以雙極元件來製作，需要高整合度與低耗能的部份就以CMOS來製作。其優點在於能提供速度更快、雜訊更低以及功率更低等特性。雖然CMOS的製程速度較快、成本也較低，但是雜訊處理不如BiCOMS，因此BiCMOS的製程技術一般較適合電源管理設計。BiCMOS是極具實用性的技術，在使用上並不會犧牲類比電路之效能。