Vishay推出20V p通道TrenchFET功率MOSFET

Vishay推出20V p通道TrenchFET功率MOSFET(摘自易立達高科技網)

   日前，為滿足對可攜式設備中更小元件的需求，Vishay推出20V p通道TrenchFET功率MOSFET，該元件採用MICRO FOOT晶片級封裝，具有此類元件中最薄厚度及最低導通電阻。
   Vishay Siliconix Si8441DB具有0.59mm的超薄厚度，以及1.5mm×1mm的占位面積。這也是在1.2V額定電壓時提供導通電阻的首款此類元件。該新元件的典型應用將包括手機、PDA、數位相機、MP3播放器及智慧型電話等可攜式設備中的負載開關及電池保護。
   Si8441DB提供了1.2V VGS時0.600Ω至4.5V VGS時0.080Ω的導通電阻範圍，且具有最高±5V的柵源電壓。1.2V額定電壓時的低導通電阻降低了對電平位移電路的需求，從而節約了可攜式電子設計中的空間。

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