2008年4月20日 星期日

以Smart Cut技術站穩全球薄型SOI市場


   絕緣層上覆矽(Silicon on Insulator;SOI)是一種基板技術。傳統的矽晶圓正逐漸被含有三層結構的工程基板所取代,採用以SOI為基板的設計,晶片製造商可在半導體製程中,繼續使用傳統的製程與設備。
   而SOI晶圓層轉換以及接合的Smart Cut技術,是法國研究機構CEA-L?ti為Soitec以及Soitec的授權廠商所專利研發,對於高產量的工業製造是實用且穩定可靠的技術。Smart Cut如今在全球薄型SOI市場中擁有超過90%的市佔率。
   Soitec總裁暨執行長Andre-Jacques Auberton-Herve指出,Smart Cut技術可用來將晶圓基板材料(例如矽)所生成的超薄單晶體層移植到另一個表面。該技術採用離子植入以及原子解剖刀活性化製程作為一種原子解剖刀(atomic scalpel),逐一將晶圓水平橫向切割,將薄層從施體基板上提起,然後再放置於新基板上。這種流程提供良好的控制力,且同一個施體基板能重複使用,配合後續元件層的移動作業。

關鍵字 : SOI,Soitec