淺述嵌入式FRAM記憶體的MCU技術

淺述嵌入式FRAM記憶體的MCU技術(摘自易立達高科技網)

   前言
鐵電記憶體（FRAM）現正成為許多設計工程師所喜歡的非揮發性記憶體。隨著記憶體技術漸趨成熟，已由獨立的形式轉變為嵌入式，市場對嵌入式FRAM的興趣也越來越濃，而本文將描述嵌入式FRAM 的應用實例。
FRAM三個明顯的優勢使其日益受到歡迎，第一是其執行寫操作的速度與讀操作的速度一樣快。就總線速度寫入而言，FRAM對寫入資料變成非揮發性資料並沒有任何延遲。這一點與基於浮柵技術的非揮發性記憶體不同，後者具有較長的寫入延遲。舉例說，對典型的電子可擦除唯讀記憶體（EEPROM）的寫操作，在資料寫入至輸入緩存之後，需要10毫秒才能使該寫入有效。此外由於FRAM沒有首選或預設狀態，並不需要擦除操作，與其他隨機記憶體（RAM）技術一樣，如SRAM寫入資料時無需考慮以前的狀態。
第二，FRAM 實際上不限制抹寫操作次數，不像其他非揮發性記憶體那樣抹寫操作次數多了就會失效。當抹除次數太多時，浮柵元件便不再能保持資料。這是一種硬故障。失效的EEPROM或快閃記憶體無法儲存編程狀態。而FRAM則不會出現這種失效。

關鍵字 : FRAM,Ramtron,鐵電性隨機存取記憶體