可發光矽半導體材料發展動向

可發光矽半導體材料發展動向(摘自易立達高科技網)

   前言
   
目前半導體元件大多使用矽（Silicon），尤其是數位電子科技幾乎都是建立在矽半導體材料上。矽半導體被廣泛應用的主因，是因為矽的物理特性穩定，而且地球上矽原料的蘊藏量極為豐富；矽的優點非常多，幾乎無法以其他材料來替代，但矽的缺點也隨著光學科技的發展而逐漸浮現。例如Bulk結晶狀態的矽無法發光，因此到目前為止，發光二極體領域幾乎是 等劇毒，而且是蘊藏量有限之Ⅲ—Ⅴ族化合物半導體的天下，如果考慮到未來光學元件與積體電路整合的發展，若能使用矽材料製作發光二極體的半導體雷射，主動元件之間的信號直接利用光線傳輸，不論是材料穩定性或是積體電路之間的整合性功能，都會比其它材料更出類拔萃。
   
發展經緯
   
矽晶圓在氟化氫溶液中進行陽極化成時，它的表面會形成一層黑色接近褐色的薄膜，這是矽晶圓局部電氣化學溶解反應後所造成的結果，因此Porous Silicon（以下簡稱為P-Si）又稱為「多孔質矽」。1956年貝爾研究所的Uhlir氏進行矽晶圓電解研磨實驗時，無意中發現多孔質矽膜，1984年英國Pickering發表研究報告指出，P-Si可以顯示可視光。

關鍵字 : P-Si, III-V,電子資材元件