2008年6月2日 星期一
英飛凌最新OptiMOS 3 MOSFET 現已上市
英飛凌科技於中國國際電源展覽會(CPS EXPO)的會展中，宣佈採用SSO8(SuperSO8)和S308(Shrink SuperSO8)封裝的OptiMOS 3 40V、60V和80V N通道MOSFET已上市，其無導線封裝處於上述崩潰電壓時，具備最低的導通電阻(RDS(on))。相較於標準的TO(電晶體外觀)封裝，SuperSO8產品提高多達50%的功率密度，尤其在伺服器SMPS(開關式電源)中應用做同步整流的時候。例如，新的頂級SSO8裝置一般在20%的空間需求上具有一般D2-Pak封裝導通電阻值。
英飛凌科技電源管理與驅動事業部總監Gerhard Wolf說道：「低電阻和低電感的無導線封裝把封裝對整體裝置行為的影響降至最低，並將OptiMOS 3矽技術的能力推向最高。」
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