2008年5月19日 星期一
恩智浦新推電晶體提升LDMOS基地台功率效能
恩智浦半導體（NXP Semiconductors）推出BLC7G22L（S）-130基地台功率電晶體，這是恩智浦的第七代橫向擴散金屬氧化物半導體（Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor；LDMOS）技術的產品，專為高功耗和Doherty放大器應用進行最佳化。恩智浦的第七代LDMOS技術是可實現高功效的LDMOS解決方案，與上一代產品相比，功率密度提升了20%，功率效能增長兩個百分點，而Rth熱阻則降低25%以上。恩智浦第七代LDMOS基地台前期電晶體的初款原型將於2008年美國喬治亞州亞特蘭大舉辦的IEEE MTT-S國際微波研討會期間進行展示。
恩智浦RF功率產品線行銷部門經理Mark Murphy表示︰「隨著電信系統商開始提供以HSDPA和LTE等技術為基礎的超高速服務，無線網路基礎設施的功率需求也已達到空前的水準。恩智浦如今利用第七代LDMOS技術，推出業界性能最高的LDMOS基地台電晶管，其功率增加效率遠高於目前市場上的任何產品。」
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