2008年5月25日 星期日
ASM提出新技術解決high k與金屬柵的挑戰
ASM推出一個全新的原子層沈積（ALD）製程。該製程採用氧化鑭（LaOx）及氧化鋁（AlOx）高介電值覆蓋層，使得32納米high k金屬閘極堆疊採用單一金屬，而不是之前CMOS所需要的兩種不同的金屬。High k電介質與金屬柵結合可以實現芯片體積更小、運行更快。這樣的芯片適用於高性能服務器和低功耗要求的產品，如筆記本電腦、PDA和Smart Phone。
ASM正在等待該氧化鑭（LaOx）及氧化鋁（AlOx）覆蓋層的專利。這新的製程應對了32納米及其以下的構型的挑戰。如果沒有這些覆蓋層，則需要兩種不同的金屬來製造晶體管P和N的電學特性。在以鉿（Hafnium）為基礎的閘極介電層與金屬閘極之間引入超薄的覆蓋薄膜，原子層的電荷將會影響介電層和金屬之間的相互作用。在小於1納米的範圍內，通過改變覆蓋層的厚度，金屬薄膜的性能可以被調整。ASM Pulsar提供ALD技術，多個ASM Pulsar process module可以整合成單一的Pulsar平台，以沉積鉿基薄膜和覆蓋層。整個製程不接觸大氣，因此薄膜間的界面可以得到良好的控制。
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