2008年4月7日 星期一
海力士開發新型高速記憶體晶片 速度達1000兆
外電消息報導，韓國海力士(Hynix)半導體日前表示，該公司已為手機及其他可攜式裝置開發出一種高速的記憶體技術。該晶片的資料處理速度最高可達1000兆。
為了積極搶攻記憶體市場，海力士不斷的在其製程技術上創新，自去年第四季開始，海力士已採用66奈米製程生產記憶體晶片。並預計在今年下半年之後，開始進入50奈米。
海力士表示，新的記憶體晶片的資料處理能力可達每秒鐘800兆Bit，超過目前市場上的所有晶片。該公司表示，現有市場上各類的可攜式設備對高儲存密度及高處理效能有極高需求，而此晶片設計正好符合此市場需求。而此晶片將於今年第四季投入量產，型號為LPDDR2。
關鍵字 : 海力士
