快捷半導體在印度普那成立研發中心

快捷半導體在印度普那成立研發中心(摘自易立達高科技網)

   快捷半導體（Fairchild Semiconductor）宣佈在印度的普那（Pune）成立設計中心。此一研發中心將負責快捷半導體新一代功率MOSFET和IGBT技術的設計和開發，支援太陽能逆變器（solar inverter）、不斷電系統（uninterruptible power supplies；UPS）、汽車、照明和鎮流器等應用。
   該印度研發中心聘有專業的電子工程師，他們均擁有豐富的設計經驗，對於功率設計，尤其是低電壓功率設計的要求瞭若指掌。快捷半導體選擇印度普那作為研發中心的所在地，是因當地靠近幾個以工程技術為重點的優秀院校和教育機構，而且也是不同研究機構的所在地，與當地的高等教育相輔相成。此外，普那在汽車製造領域也擁有強大的實力。

關鍵字 : Fairchild,快捷半導體